T/IAWBS 013-2019 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法
标准名称：半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法
发布日期：2019-12-27
实施日期：2019-12-31
标准编号：T/IAWBS 013-2019
标准状态：现行(*非即时更新以实际为准)
标准格式：PDF电子版
简介
T/IAWBS 013-2019 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法
标准编号：T/IAWBS 013-2019
规范名称：半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法
本标准规定了半绝缘碳化硅电阻率非接触测量方法。
本标准适用于电阻率测量范围: 105Ω?cm-1012Ω?cm；样品直径：50.8mm-200mm；样品厚度范围：250μm—5000μm的衬底。
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国电子科技集团公司第二研究所、北京世纪金光半导体有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所。
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