T/CASAS 009-2019 半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
标准名称：半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
发布日期：2019-11-25
实施日期：2019-11-25
标准编号：T/CASAS 009-2019
标准状态：现行(*非即时更新以实际为准)
标准格式：PDF电子版
简介
T/CASAS 009-2019 半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
标准编号：T/CASAS 009-2019
规范名称：半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
起草单位：北京科技大学、中国科学院半导体研究所、北京国联万众半导体有限公司、山东大学、河北同光晶体有限公司、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、广东芯聚能半导体有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中科钢研节能科技有限公司、深圳第三代半导体研究院。
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