GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
标准名称：半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
发布日期：2003-06-16
实施日期：2004-01-01
标准编号：GB/T 19199-2003
标准状态：现行(*非即时更新以实际为准)
标准格式：PDF电子版
简介
GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
标准编号：GB/T 19199-2003
规范名称：半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
本标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓晶片中碳浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于1．0×107 Ω·cm的非掺杂半绝缘砷化镓晶片中碳浓度的测定。可测定的最低碳浓度为4.0×1014 cm-3。
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所
批准发布部门：国家标准化管理委员会
GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法(图)
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