GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
标准名称：非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
发布日期：1997-12-22
实施日期：1998-08-01
标准编号：GB/T 17170-1997
标准状态：现行(*非即时更新以实际为准)
标准格式：PDF电子版
简介
GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
标准编号：GB/T 17170-1997
规范名称：非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
本标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于10Ω·cm的非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度的测定。本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓试样深能级EL2浓度测定。
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
起草单位：电子工业部第四十六研究所
批准发布部门：国家标准化管理委员会
GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法(图)
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