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GB/T 34900-2017 微机电系统(MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法

GB/T 34900-2017 微机电系统(MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法

简介

GB/T 34900-2017 微机电系统(MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法

标准编号:GB/T 34900-2017

规范名称:微机电系统(MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法

本标准规定了基于光学干涉显微镜获取的微双端固支梁结构表面形貌进行残余应变测量的方法。

本标准适用于表面反射率不低于4%且使用光学干涉显微镜能够获取表面形貌的微双端固支梁结构。

全国微机电技术标准化技术委员会

起草单位:天津大学、国家仪器仪表元器件质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第十三研究所、中机生产力促进中心、南京理工大学

批准发布部门:国家标准化管理委员会

GB/T 34900-2017

GB/T 34900-2017 微机电系统(MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法(图)

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