GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
标准名称：用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
发布日期：2013-12-31
实施日期：2014-08-15
标准编号：GB/T 14863-2013
标准状态：现行(*非即时更新以实际为准)
标准格式：PDF电子版
简介
GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
标准编号：GB/T 14863-2013
规范名称：用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录A)相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。
工业和信息化部（电子）
起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司第四十六研究所
批准发布部门：工业和信息化部（电子）
GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法(图)
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