GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法
标准名称:用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法
发布日期:1993-12-30
实施日期:1994-10-01
标准编号:GB/T 14863-1993
标准状态:现行(*非即时更新以实际为准)
标准格式:PDF电子版
标准编号:GB/T 14863-1993
规范名称:用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法
本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流了浓度的原理、仪器与材料、样品制备、测量步骤和数据处理。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录B)的相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层,也适用于体材料。
工业和信息化部(电子)
起草单位:机械电子工业部46所和4所
批准发布部门:工业和信息化部(电子)
GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法(图)