GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
标准名称：半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
发布日期：2012-12-31
实施日期：2013-06-01
标准编号：GB/T 29332-2012
标准状态：现行(*非即时更新以实际为准)
标准格式：PDF电子版
简介
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
标准编号：GB/T 29332-2012
规范名称：半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
本标准给出了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求。
全国半导体器件标准化技术委员会
起草单位：西安电力电子技术研究所、英飞凌科技（中国）有限公司、江苏宏微科技有限公司、西安爱帕克电力电子有限公司、威海新佳电子有限公司
批准发布部门：工业和信息化部（电子）
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)(图)
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