GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
标准名称：半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
标准编号：GB/T 6616-2009
标准状态：现行(*非即时更新以实际为准)
标准格式：PDF电子版
简介
GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
标准编号：GB/T 6616-2009
规范名称：半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
u3000u3000本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。 u3000u3000本标准适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为0.1mm～1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片（简称硅片）的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
起草单位：万向硅峰电子股份有限公司
批准发布部门：国家标准化管理委员会
GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法(图)
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