T/IAWBS 010-2019 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法
标准名称：碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法
发布日期：2019-12-27
实施日期：2019-12-31
标准编号：T/IAWBS 010-2019
标准状态：现行(*非即时更新以实际为准)
标准格式：PDF电子版
简介
T/IAWBS 010-2019 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法
标准编号：T/IAWBS 010-2019
规范名称：碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法
本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的表面质量和微管密度的测试方法-激光散射测试法。
本标准适应于4H及6H碳化硅单晶抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京天科合达半导体股份有限公司、东莞天域半导体科技有限公司、江苏天科合达半导体有限公司、新疆天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所、北京三平泰克科技有限责任公司、中国科学院半导体研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所、全球能源互联网研究院有限公司、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、中国科学院电工研究所、泰科天润半导体科技（北京）有限公司。
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