SJ/T 10482-1994 半导体深能级的瞬态电容测试方法
标准名称：半导体深能级的瞬态电容测试方法
发布日期：1994-04-11
实施日期：1994-10-01
标准编号：SJ/T 10482-1994
标准状态：现行(*非即时更新以实际为准)
标准格式：PDF电子版
简介
SJ/T 10482-1994 半导体深能级的瞬态电容测试方法
标准编号：SJ/T 10482-1994
规范名称：半导体深能级的瞬态电容测试方法
适用范围：
本标准规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱(DLTS)法测量半导体材料中深能级的测试方法。本标准适用于测量硅、砷化镓等半导体材料中杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。由此法可得到深能级的激活能、浓度、指数前因子A等参数。本标准适用于产生指数形式电容瞬态有关的深能级。
批准发布部门：电子工业部行业分类无
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