GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
标准名称：低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
发布日期：2017-10-14
实施日期：2018-07-01
标准编号：GB/T 34481-2017
标准状态：现行(*非即时更新以实际为准)
标准格式：PDF电子版
简介
GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
标准编号：GB/T 34481-2017
规范名称：低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度（EPD）的测量方法。
本标准适用于测试位错密度小于1000个／cm2、直径为75mm~150mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
起草单位：云南中科鑫圆晶体材料有限公司、中科院半导体研究所、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
批准发布部门：国家标准化管理委员会
GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法(图)
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