GB/T 33657-2017 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
标准名称：纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
发布日期：2017-05-12
实施日期：2017-12-01
标准编号：GB/T 33657-2017
标准状态：现行(*非即时更新以实际为准)
标准格式：PDF电子版
简介
GB/T 33657-2017 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
标准编号：GB/T 33657-2017
规范名称：纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范，其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。
本标准适用于以硫系化合物为主要原料，基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100nm的相变存储单元，100nm~300nm的相变存储单元也可参照本标准执行。
本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。
全国纳米技术标准化技术委员会
起草单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
批准发布部门：中国科学院
GB/T 33657-2017 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范(图)
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