GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法
标准名称：表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法
发布日期：2016-02-24
实施日期：2017-01-01
标准编号：GB/T 32495-2016
标准状态：现行(*非即时更新以实际为准)
标准格式：PDF电子版
简介
GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法
标准编号：GB/T 32495-2016
规范名称：表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法
本标准中，详细规定了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中砷进行深度剖析的方法，以及用触针式轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。本标准适用于砷原子浓度范围从1×1016atoms/cm3 到2.5×1021atoms/cm3的单晶硅、多晶硅、非晶硅样品，坑深在50nm及以上。
全国微束分析标准化技术委员会
起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所
批准发布部门：国家标准化管理委员会
GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法(图)
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