GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
标准名称：化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
发布日期：2011-01-10
实施日期：2011-10-01
标准编号：GB/T 26070-2010
标准状态：现行(*非即时更新以实际为准)
标准格式：PDF电子版
简介
GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
标准编号：GB/T 26070-2010
规范名称：化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
1.1本标准规定了Ⅲ—Y族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。1.2本标准适用于GaAs、InP(GaP、GaSb可参照进行)等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
起草单位：中国科学院半导体研究所
批准发布部门：国家标准化管理委员会
GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法(图)
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