GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
标准名称：硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
发布日期：2010-09-26
实施日期：2011-08-01
标准编号：GB/T 25188-2010
标准状态：现行(*非即时更新以实际为准)
标准格式：PDF电子版
简介
GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
标准编号：GB/T 25188-2010
规范名称：硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
u3000u3000本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法，即X射线光电子能谱法（XPS）。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量；通常，本标准适用的氧化硅层厚度不大于6 nm。
全国微束分析标准化技术委员会
起草单位：中国科学院化学研究所、中国计量科学研究院
批准发布部门：国家标准化管理委员会
GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法(图)
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