DB13/T 5696-2023 基于高温反偏试验的GaN HEMT 射频功率器件缺陷快速筛选方法
标准名称：基于高温反偏试验的GaN HEMT 射频功率器件缺陷快速筛选方法
发布日期：2023-05-06
实施日期：2023-06-06
标准编号：DB13/T 5696-2023
标准状态：现行(*非即时更新以实际为准)
标准格式：PDF电子版
简介
DB13/T 5696-2023 基于高温反偏试验的GaN HEMT 射频功率器件缺陷快速筛选方法
标准编号：DB13/T 5696-2023
规范名称：基于高温反偏试验的GaN HEMT 射频功率器件缺陷快速筛选方法
该国家标准规定了基于高温反偏试验的GaN HEMT射频功率器件缺陷快速筛选的筛选原理、筛选条件、筛选系统构成和要求、筛选方法和判据。
该国家标准适用于工业级GaN HEMT射频功率器件的快速筛选，GaN HEMT射频功率模块可参照使用。
石家庄市市场监督管理局
起草单位：河北博威集成电路有限公司
起草人：郭跃伟、王鹏、张博、王静辉、闫志峰、郝永利、王景亮、刘子浩
批准发布部门：河北省市场监督管理局行业分类无
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