DB13/T 5695-2023 GaN HEMT 射频器件陷阱效应测试方法
标准名称：GaN HEMT 射频器件陷阱效应测试方法
发布日期：2023-05-06
实施日期：2023-06-06
标准编号：DB13/T 5695-2023
标准状态：现行(*非即时更新以实际为准)
标准格式：PDF电子版
简介
DB13/T 5695-2023 GaN HEMT 射频器件陷阱效应测试方法
标准编号：DB13/T 5695-2023
规范名称：GaN HEMT 射频器件陷阱效应测试方法
该国家标准规定了GaN HEMT射频器件陷阱效应的测试原理、测试环境、测试系统、测试步骤、试验数据处理。
该国家标准适用于GaN HEMT射频器件陷阱效应评估，GaN HEMT射频芯片、模块和晶圆级封装产品可参照使用。
石家庄市市场监督管理局
起草单位：河北博威集成电路有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、气派科技股份有限公司
起草人：卢啸、张博、郭跃伟、闫志峰、郝永利、段磊、王静辉、王鹏、付兴中、陈勇
批准发布部门：河北省市场监督管理局行业分类无
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