T/IAWBS 011-2019 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法
标准名称：导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法
发布日期：2019-12-27
实施日期：2019-12-31
标准编号：T/IAWBS 011-2019
标准状态：现行(*非即时更新以实际为准)
标准格式：PDF电子版
简介
T/IAWBS 011-2019 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法
标准编号：T/IAWBS 011-2019
规范名称：导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法
本标准规定了用非接触涡流法测定导电碳化硅单晶片电阻率的方法。
本标准适用于200μm到1000μm厚的碳化硅单晶片。
本标准适用于电阻率0.005Ω·cm到200Ω· cm和表面电阻0.032 Ω/□到3000Ω/□的范围。
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中科钢研节能科技有限公司,北京天科合达半导体股份有限公司、中国科学院物理研究所、北京三平泰克科技有限责任公司,国宏中宇科技发展有限公司。
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