GB 13539.4-1992 低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要求
标准名称：低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要求
发布日期：1992-07-01
实施日期：1993-03-01
标准编号：GB 13539.4-1992
标准状态：现行(*非即时更新以实际为准)
标准格式：PDF电子版
简介
GB 13539.4-1992 低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要求
标准编号：GB 13539.4-1992
规范名称：低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要求
本标准规定了半导体器件保护用熔断体的额定值、正常使用下的温升、耗散功率、时间-电流特性、分断能力、截断电流特性、I2t特性、电弧电压特性、试验和标志。本标准适用于交流额定电压不超过1200V或直流额定电压不超过1500V的电路中具有半导体器件的设备上使用的熔断体。
起草单位：上海电器科研所
GB 13539.4-1992 低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要求(图)
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