SJ/T 11586-2016 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法
标准名称：半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法
发布日期：2016-01-15
实施日期：2016-06-01
标准编号：SJ/T 11586-2016
标准状态：现行(*非即时更新以实际为准)
标准格式：PDF电子版
简介
SJ/T 11586-2016 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法
标准编号：SJ/T 11586-2016
规范名称：半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法
适用范围：
本标准规定了使用X射线辐射源(平均能量约10keV，最大能量不超过100keV)对半导体器件(以下简称“器件”)进行总剂量电离辐照试验的方法和程序。本标准适用于半导体器件的总剂量电离辐照评估试验。本标准不适用于双极器件和电路的低剂量率总剂量辐照试验。
工业和信息化部电子工业标准化研究院
起草单位：工业和信息化部电子第五研究所
批准发布部门：工业和信息化部行业分类无
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