SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法
标准名称：碳化硅单晶电学性能的测试方法
发布日期：2015-04-30
实施日期：2015-10-01
标准编号：SJ/T 11499-2015
标准状态：现行(*非即时更新以实际为准)
标准格式：PDF电子版
简介
SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法
标准编号：SJ/T 11499-2015
规范名称：碳化硅单晶电学性能的测试方法
适用范围：
本标准规定了碳化硅晶体材料导电类型、电阻率、迁移率、载流子浓度的测试方法。标准适用于在（～263.15～426.85）℃温度范围内，电阻率在1×10∧5Ω.cm以下、晶型为6H和4H的碳化硅单晶的电学性能测试。
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、工业和信息化部电子工业标准化研究院
批准发布部门：工业和信息化部行业分类无
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